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单晶硅片
规格:3寸至4寸单晶硅N型轻掺硅片,3寸至4寸单晶硅N/P型重掺硅片

通过掺磷或掺硼,采用MCZ工艺,生产尺寸为3寸、4寸,电阻0.003-55Ω.cm,厚度200-350um等不同N型单晶硅片或P型单晶硅片,并可根据客户要求生产定位边单晶硅片,倒角单晶硅片,N型单晶硅片,P型单晶硅片等,电阻率和厚度根据客户要求生产。

3寸单晶硅N型轻掺硅片

3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

电阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

寿命μs

外径mm

掺杂剂

形态

电阻率径向不均匀性

线切片

研磨片

倒角片

定位片

5-10

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

10-15

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

15-20

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

20-25

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

25-30

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

30-35

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

35-40

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

40-45

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

45-50

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

50-55

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

4寸单晶硅N型轻掺硅片

4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

电阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

寿命μs

外径mm

掺杂剂

形态

电阻率径向不均匀性

线切片

研磨片

倒角片

定位片

5-10

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

10-15

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

15-20

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

20-25

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

25-30

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

30-35

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

35-40

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

40-45

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

45-50

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

50-55

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

3寸单晶硅重掺硅片

3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer

电阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

型号

外径mm

掺杂剂

形态

电阻率径向不均匀性

线切片

研磨片

倒角片

定位片

0.003-0.005

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

0.005-0.008

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

0.02-0.03

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

4寸单晶硅重掺硅片

4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer

电阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

型号

外径mm

掺杂剂

形态

电阻率径向不均匀性

线切片

研磨片

倒角片

定位片

0.003-0.005

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

/

/

0.005-0.008

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

/

/

0.02-0.03

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

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