8040www威尼斯-首页欢迎您

简体中文   |    繁體中文   |   English

EPI芯片(外延芯片)

采用外延片为载体,进行扩散、玻璃钝化,得到特殊产品特性,TRR波形振荡较小,应用上干扰较小。

外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。采用外延片为载体,进行扩散、玻璃钝化,得到特殊产品特性,TRR波形振荡较小,应用上干扰较小。

可以满足客户在高温、高湿、强电场等恶劣条件下长时间工作需求。


文件名称
文件下载
EPI芯片参数配置表



参数配置表

Dimension
Part number

A

B

C

D

Limits ±12

Limits ±2

Limits ±3

Limits ±1

1A

50

12

27

2

2~4A

64

12

41

2

3~6A

72

12

49

2

5~8A

84

12

61

2

8~10A

95

12

72

2


Parameter

Symbol

SF50

SF64

SF72

SF84

SF95

Unit

Peak Inverse V

PIV

100 ~ 800

Volts

Forward Current

IF

1

3

5

8

10

Amps

Forward Volts

VF

PIV200V VF spec. 0.9

PIV400V VF spec. 1.25

PIV600V VF spec. 1.7

PIV800V VF spec. 2.2

Volts

Reverse recovery time

TRR

20~35

ns

Surge Current

IFSM

30

100

125

Amp/8.3ms

Leakage at 100℃

IRFM

400

uA

Junction Temp

TJ,MAX

150

Degrees ℃

Leakage 25℃

IRFM

10.0

uA

Storage Temp

TST

-65 ------- 150

Degrees ℃

Die Attach Temp

TD

340~375

Degrees ℃/2 min

TRR波形振荡较小(应用上干扰较小)

本公司提供PG光刻制程,可根据客制要求电性特性;
低温升产品;
大功率产品;
白/黄金扩散产品。


Baidu
sogou